Статьи автора

Определение матричного состава стекол системы Ga–Ge–Te–I методом атомно-эмиссионной спектрометрии с индуктивно связанной плазмой

Номер выпуска 5 от 14.09.2025

Разработана методика высокоточного определения матричных элементов высокочистых стекол системы Ga–Ge–Te–I, содержащих от 5 до 15 ат. % Ga, от 10 до 20 ат. % Ge, от 69 до 75 ат. % Te и от 1 до 6 ат. % I, с использованием атомно-эмиссионной спектрометрии с индуктивно связанной плазмой. Методика включает два независимых друг от друга этапа: определение отношения массовых долей Ga и Te к массовой доле Ge (этап 1) и определение массовой доли I (этап 2) в пробе стекла. На основе данных величин рассчитывают массовую и мольную доли каждого матричного элемента анализируемой пробы. Пробоподготовка включает кислотное растворение (обеспечивает количественный перевод Ga, Ge и Te в раствор) и щелочное вскрытие (обеспечивает количественный перевод I в раствор) проб. Правильность результатов анализа подтверждена сопоставлением результатов анализа модельных растворов и модельных образцов стекол с рассчитанным составом. Оцененная неопределенность результатов анализа составила 0.05–0.1 ат. % при P = 0.95.

11 0